基于纳米压印的高端芯片制备产业化项目
l 项目背景和意义
高精度光刻技术是我国面临的最紧迫的卡脖子技术之一。目前我国各大晶圆厂使用的核心光刻机几乎依赖进口，最顶尖的极紫外光刻机（EUV）更是对中国禁运。由于EUV技术复杂、系统昂贵，且相关技术标准和专利被欧美垄断，我国要短期内在光刻领域追赶上世界前沿的挑战非常大。
纳米压印技术是一种使用机械压印方式来复制微纳结构的接触型图形化技术。该技术具有比EUV光刻更高的图形复制精度（可达到亚10纳米），同时具有工艺/设备简单、吞吐量高、成本低等优点。国际半导体技术路线指南（ITRS）2012年报告中将纳米压印与EUV光刻技术共同列为最有前景的图形化技术。近年日本佳能和东芝也合作使用高精度纳米压印技术制备3D内存器，有望于近年实现量产。纳米压印技术还可广泛应用于光学芯片、光学薄膜、生物芯片、电子器件等的大规模生产和制造，被认为是用于低成本、大规模制造微纳结构最有潜力的技术之一。