第三代半导体材料高效低损复合磨削加工工艺
l 技术特点
SiC，、GaN等第三代半导体材料具有临界击穿电场高、抗辐射能力强、化学稳定性好等优点，在高温、高频、大功率、抗辐射光电子器件及光电子集成等领域具有广阔应用前景。SiC及GaN材料属于典型的硬脆材料，目前加工工艺复杂且效率极低，相应的半导体器件应用受到很大限制。项目成果将大幅提高第三代半导体器件制作效率、降低第三代半导体器件相关费用。
SiC，、GaN等第三代半导体材料具有临界击穿电场高、抗辐射能力强、化学稳定性好等优点，在高温、高频、大功率、抗辐射光电子器件及光电子集成等领域具有广阔应用前景。SiC及GaN材料属于典型的硬脆材料，目前加工工艺复杂且效率极低，相应的半导体器件应用受到很大限制。项目成果将大幅提高第三代半导体器件制作效率、降低第三代半导体器件相关费用。