南方科技大学科技成果赋权公示(202103001)——一种AC-DC适配器等20项知识产权
根据《深圳经济特区科技创新条例》等相关文件精神,并经南方科技大学产学研工作委员会第二十五次会议议定,校方同意将以下20项科技成果进行赋权,将以下20项科技成果的所有权人/申请人变更为南方科技大学与于洪宇按份共有,其中,南方科技大学占25%份额,于洪宇占75%份额。赋权完成后,南方科技大学、于洪宇双方均可以以不低于人民币615万元的价格并按照赋权协议约定、南方科技大学的规定对赋权技术进行转化,转化方式可以为出资入股、许可、转让等。赋权自协议签署之日起3年内有效。现予以公示。
科技成果名称 | 序号 | 涉及知识产权 | 发明人 | 知识产权类型 | 项目负责人 | 赋权事项 |
“一种AC-DC适配器”等20项科技成果 | 1 | 一种AC-DC适配器(专利号:201620183215.6) | 李涛,于洪宇,蒋苓利 | 专利 | 于洪宇 | 将所有权人/申请人变更为南方科技大学与于洪宇按份共有,其中,南方科技大学占25%份额,于洪宇占75%份额 |
2 | 一种高速电力开关器件(专利号:201720256249.8) | 蒋苓利,李涛,王宁,于洪宇 | 专利 | |||
3 | 一种微波放大器件(专利号:201720260108.3) | 蒋苓利,李涛,王宁,于洪宇;陈朗 | 专利 | |||
4 | 一种增强型氮化镓晶体管及其制备方法(专利号:201810507252.1) | 于洪宇,章剑 | 专利 | |||
5 | 一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法(专利号:201810585676.X) | 戚永乐,于洪宇 | 专利 | |||
6 | 一种高电子迁移率晶体管及其制作方法(专利号:201910085945.0) | 于洪宇,曾凡明 | 专利 | |||
7 | 一种高电子迁移率晶体管及其制作方法(专利号:201910085962.4) | 于洪宇,曾凡明 | 专利 | |||
8 | 一种高电子迁移率晶体管及其制作方法(专利号:201910088126.1) | 于洪宇,曾凡明 | 专利 | |||
9 | 一种高电子迁移率晶体管及其制作方法(专利号:201910088135.0) | 于洪宇,曾凡明 | 专利 | |||
10 | 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法(专利号:201910111345.7) | 于洪宇,唐楚滢,王亮,何明浩 | 专利 | |||
11 | 一种PIN二极管及其制备方法(专利号:201910207527.4) | 于洪宇,曾凡明 | 专利 | |||
12 | 一种场效应晶体管及其制备方法(专利号:201910207646.X) | 于洪宇,曾凡明 | 专利 | |||
13 | 一种肖特基二极管及其制备方法(专利号:201910209930.0) | 于洪宇,曾凡明 | 专利 | |||
14 | 一种III族氮化物晶体管外延结构和晶体管器件(专利号:201910849437.5) | 何佳琦,汪青,于洪宇 | 专利 | |||
15 | 半导体外延结构、制备方法结构及半导体器件(专利号:201911026043.6) | 何佳琦,汪青,于洪宇 | 专利 | |||
16 | 一种体声波谐振器的制备方法(专利号:201911166647.0) | 于洪宇,王亮,张一,汪青,唐楚滢 | 专利 | |||
17 | 一种半导体器件电极的制作方法及半导体欧姆接触结构(专利号:202010207017.X) | 于洪宇,蒋玉龙,范梦雅 | 专利 | |||
18 | 一种GaN HEMT器件的制备方法(专利号:202010393703.0) | 蒋洋,于洪宇,汪青,范梦雅,何佳琦 | 专利 | |||
19 | 半导体器件场板的制作方法(专利号:202010396763.8) | 陈建国,于洪宇,曾凡明,汪青 | 专利 | |||
20 | 半导体器件的制作方法(专利号:202010489498.8) | 蒋洋,于洪宇,汪青 | 专利 |
公示期为15天,自2020年12月29日至2021年1月12日。
任何单位和个人若有异议,请于公示期内(2021年1月12下午五点前)以书面形式送交技术转移中心(地址:深圳市南山区学苑大道1088号创园6栋410室)。异议应当签署真实姓名或加盖单位公章,并注明联系方式,逾期不予受理。
联系人:牛荦
联系电话:0755-88015933
联系邮箱:niul@sustech.edu.cn
南方科技大学技术转移中心
2020年12月29日