Si 基 GaN 功率开关器件
本项目针对国家及广东省电力节能应用需求，在6 寸产品线上开展了具有自主知识产权的Si 基GaN 增强型功率开关管的研制，解决Si 基GaN 大尺寸高耐压外延、产业化制备、可靠性、高频驱动芯片和DC-DC 模块等关键技术问题，实现全产业链协同创新，推动了GaN 在高效电源领域的应用进程。项目围绕Si 基GaN 电力电子器件面临的增强型和可靠性等挑战开展研究，完成了硅基氮化镓外延片关键参数开发；完成了GaN MIS-HEMT和SBD关键结构工艺的开发；完成了电源模组初步框架构建。硅基氮化镓外延片参数通过了应力工程实验及击穿电压验证；在实验平台下完成了GaN MIS-HEMT和SBD的IV，CV验证；开展了GaN电源模块整体仿真验证。完成了GaN MIS-HEMT和SBD器件小批量的试制；完成了大功率器件和基于嵌入式系统PWM信号的产生器。对完成的GaN HEMT进行了初步的Cascode集成；对集成整个系统包括大功率输出及驱动进行组装。
上一个：超薄量子点色彩增强膜
下一个：没有了