新型 Micro-LED 发光与显示技术
目前已完成超高分辨率、超高亮度 Micro-LED 芯片设计与制造，实现: 1、单颗尺寸小于10微米的Mciro-LED器件的开发，包括：Micro-LED台面制备工艺、
垂直结构 Micro-LED 芯片转移工艺、垂直结构 Micro-LED 芯片的 p 型和 n 型电极制备、高 光提取效率芯片设计工艺、以及与巨量转移技术匹配的芯片工艺优化。 2、高亮度高分辨率 Micro-LED 微显阵列设计与制备，主要包括 3 个方面：超高亮度微
显示芯片的制备、硅基 CMOS 驱动芯片的制备和显示与驱动的集成。 3、覆盖从深紫外到红外大范围的多波长 Micro-LED 阵列集成技术与巨量转移技术 本项目团队从 Micro-LED 阵列结构设计和工艺上出发，采用一种无台面像素的新工艺
技术，来制备像素区完全平坦化的 Micro-LED 芯片，这种 Micro-LED 阵列结构将可以大幅 提高整个阵列的亮度，且有助于提高像素的密度以及后续单片式集成与巨量转移的集成工 艺。
上一个：用于功率放大器的氮化镓射频器件