用于功率放大器的氮化镓射频器件
申请人从事微电子器件领域研究工作二十余年，学术专长主要包括微电子关键核心材料、工艺技术和先进器件等相关的应用基础性研究。在包括CMOS高k金属栅叠层、新型三维存储器、硅基薄膜太阳能电池以及宽禁带半导体器件等研究领域上取得一系列创新性研发成果。申请人在微电子工艺与器件方面累计发表学术期刊论文363篇，其中SCI收录170篇，被引用3909次，单篇被引用次数超过100次的文章合计6篇，H影响因子38。发表于国际微电子领域重要学术期刊(如: IEEE Electron Device Letters, IEEE Transaction on Electron Device和Applied Physics Letters等)论文90多篇，包括特邀期刊综述论文5篇。发表微电子器件领域国际学术会议论文(IEDM，VLSI以及Tech Sym.)34篇。受邀在重要国际学术会议上做邀请报告60余次，担任若干国际会议TPC member以及分会场主席。参与四本专业书籍相关章节的撰写，主编出版两本学术专业书籍《Hafnium: Chemical Characteristics, Production and Application》 (Nova Science Pub Inc, New York, 2014)和《Gallium Nitride Power Devices》（Pan Stanford Publishing Pte. Ltd., Singapore, 2017) 。申请/授权欧美及中国发明专利40项。申请人入选广东省科技创新领军人才计划，任Science Bulletin副主编。