氮化镓气体传感器
l 技术原理
气体传感器被应用于多种环境，在不断地更新换代中，半导体气体传感器由于其相对低廉的制造成本和优异的性能，被广泛关注。传统半导体气体传感器大多以硅作为基底，使得这些器件受到硅材料本身特性限制，如高温特性差、抗辐照能力差等。氮化镓气体传感器是基于传统氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）所制作的场效应气体传感器。它凭借氮化镓相对于硅的材料优势，以及GaN/AlGaN异质结产生的高电子迁移率，能实现硅基气体传感器所无法实现的高温气体传感器应用，填补了业界的空白。
上一个：氮化镓HEMT射频器件