氮化镓HEMT射频器件
l 技术原理
5G通讯有高频率、高带宽与基站密集等特点，要求功率放大器具有高工作频率、高饱和电流与高功率密度的特点，传统硅基LDMOS或第二代半导体砷化镓，因载流子迁移率与崩溃电压关系，工作频率与功率密度已无法符合要求。氮化镓作为第三代半导体材料，具有高电子迁移率、高击穿电场、高电子饱和速率、高热传导率以及优异的物理和化学稳定性等优势，在5G应用方面具有非常大的潜力。
下一个：氮化镓气体传感器
5G通讯有高频率、高带宽与基站密集等特点，要求功率放大器具有高工作频率、高饱和电流与高功率密度的特点，传统硅基LDMOS或第二代半导体砷化镓，因载流子迁移率与崩溃电压关系，工作频率与功率密度已无法符合要求。氮化镓作为第三代半导体材料，具有高电子迁移率、高击穿电场、高电子饱和速率、高热传导率以及优异的物理和化学稳定性等优势，在5G应用方面具有非常大的潜力。
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