基于量子物理模型的TCAD仿真软件
l 技术原理
随着半导体技术进入10纳米以下节点，单个半导体器件的物理尺寸已经达到原子级。例如7纳米节点下的FinFET沟道宽度只有20~30个原子。在这样的尺度下，器件的具体原子结构（如晶格位移，掺杂子位置及原子缺陷等）以及量子物理效应（如栅极氧化层隧穿，源-漏隧穿和能量量子化等），对器件的性能和特性有决定性的影响。由于极端尺度微缩导致的电流泄漏，缺陷和结构波动成为器件性能，材料加工，封装和制造的严重问题。此外，许多新兴半导体器件甚至直接利用量子效应作为工作原理，如电子自旋器件和量子隧穿三极管等。对这些新兴器件的模拟必须考虑量子效应和原子细节。
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